磷化硼
| 磷化硼 | |
|---|---|
| |
| 識別 | |
| CAS號 | 20205-91-8 
|
| PubChem | 88409 |
| 性質 | |
| 化學式 | BP |
| 摩爾質量 | 41.7855 g·mol⁻¹ |
| 外觀 | 栗色粉末 |
| 密度 | 2.90 g/cm3 |
| 熔點 | 1100 °C (分解) |
| 能隙 | (間接)2 eV |
| 電子遷移率 | 5400 cm2/(V*s) (300 K) |
| 熱導率 | 4 W/(cm*K) (300 K) |
| 折光度n D |
3.05 (0.63 µm)[1] |
| 結構 | |
| 晶體結構 | 閃鋅礦型 |
| 空間群 | T2d-F-43m |
| 配位幾何 | 四面體 |
| 若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。 | |
磷化硼（BP）是由硼元素與磷元素組成的無機化合物，屬於一種半導體材料。 [2]
製備
早在1891年，法國化學家亨利·莫瓦桑就合成了磷化硼晶體。[3]
以下幾種方法可製備磷化硼：[4]
外觀
純淨的磷化硼幾乎是透明的，n-型晶體是橙紅色的，然而p-型的卻是暗紅色的。[5]
化學性質
磷化硼與沸騰的濃酸或鹼溶液不發生反應，可在預熱後與熔融的鹼（例如氫氧化鈉）發生反應。[5]磷化硼暴露於空氣中可在1000°C以下耐氧化，而在500°C左右能與氯氣反應。高壓下在2500°C仍可保持化合物的穩定，在1100°C以上真空加熱會失去部分磷，得到B12P1.8，其晶體結構與碳化硼類似。[4]
物理性質 [5]
- 熱膨脹係數約為3x10−6 /°K
- 定壓熱容（CP）約為0.8 J/(g*K) (於溫度 300 K)
- 德拜溫度 = 1000 K
- 相對較高的硬度 32 GPa(100 g 負載)
- 電子和空穴遷移率為幾百cm2/(V*s) (最高可達500)
參見
相關材料
參考資料
- ^ refractive index database
- ^ POPPER, P.; INGLES, T. A. Boron Phosphide, a III–V Compound of Zinc-Blende Structure. Nature (Springer Science and Business Media LLC). 1957, 179 (4569): 1075–1075. ISSN 0028-0836. doi:10.1038/1791075a0.
- ^ Moissan, H., Comp. Rend. 113 (1891) 726
- ^ 4.0 4.1 張青蓮. 《无机化学丛书》第二卷：铍、碱土金属、硼铝镓分族. 北京: 科學出版社. 1991年11月: P386. ISBN 7-03-002238-6.
- ^ 5.0 5.1 5.2 L. I. Berger "Semiconductor materials" CRC Press, 1996 ISBN 0849389127, 9780849389122 (可在google books上預覽), p. 199
- Boron Chemistry at the Millennium, Editor: R.B. King, Elsevier Science & Technology (1999) ISBN 0-444-72006-5
- P-n junction type boron phosphide-based semiconductor light-emitting device and production method thereof, United States Patent 6831304
- Semiconducting Properties of Cubic Boron Phosphide, B. Stone and D. Hill, Phys. Rev. Lett. vol. 4, 282–284 (1960) doi:10.1103/PhysRevLett.4.282