磷化硼
| 磷化硼 | |
|---|---|
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| 识别 | |
| CAS号 | 20205-91-8 
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| PubChem | 88409 |
| 性质 | |
| 化学式 | BP |
| 摩尔质量 | 41.7855 g·mol⁻¹ |
| 外观 | 栗色粉末 |
| 密度 | 2.90 g/cm3 |
| 熔点 | 1100 °C (分解) |
| 能隙 | (间接)2 eV |
| 电子迁移率 | 5400 cm2/(V*s) (300 K) |
| 熱導率 | 4 W/(cm*K) (300 K) |
| 折光度n D |
3.05 (0.63 µm)[1] |
| 结构 | |
| 晶体结构 | 闪锌矿型 |
| 空间群 | T2d-F-43m |
| 配位几何 | 四面体 |
| 若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。 | |
磷化硼（BP）是由硼元素与磷元素组成的无机化合物，属于一种半导体材料。 [2]
制备
早在1891年，法国化学家亨利·莫瓦桑就合成了磷化硼晶体。[3]
以下几种方法可制备磷化硼：[4]
外观
纯净的磷化硼几乎是透明的，n-型晶体是橙红色的，然而p-型的却是暗红色的。[5]
化学性质
磷化硼与沸腾的浓酸或碱溶液不发生反应，可在预热后与熔融的碱（例如氢氧化钠）发生反应。[5]磷化硼暴露于空气中可在1000°C以下耐氧化，而在500°C左右能与氯气反应。高压下在2500°C仍可保持化合物的稳定，在1100°C以上真空加热会失去部分磷，得到B12P1.8，其晶体结构与碳化硼类似。[4]
物理性质 [5]
- 热膨胀系数约为3x10−6 /°K
- 定壓熱容（CP）约为0.8 J/(g*K) (於溫度 300 K)
- 德拜温度 = 1000 K
- 相对较高的硬度 32 GPa(100 g 负载)
- 电子和空穴迁移率为几百cm2/(V*s) (最高可达500)
参见
相关材料
参考资料
- ^ refractive index database
- ^ POPPER, P.; INGLES, T. A. Boron Phosphide, a III–V Compound of Zinc-Blende Structure. Nature (Springer Science and Business Media LLC). 1957, 179 (4569): 1075–1075. ISSN 0028-0836. doi:10.1038/1791075a0.
- ^ Moissan, H., Comp. Rend. 113 (1891) 726
- ^ 4.0 4.1 张青莲. 《无机化学丛书》第二卷：铍、碱土金属、硼铝镓分族. 北京: 科学出版社. 1991年11月: P386. ISBN 7-03-002238-6.
- ^ 5.0 5.1 5.2 L. I. Berger "Semiconductor materials" CRC Press, 1996 ISBN 0849389127, 9780849389122 (可在google books上预览), p. 199
- Boron Chemistry at the Millennium, Editor: R.B. King, Elsevier Science & Technology (1999) ISBN 0-444-72006-5
- P-n junction type boron phosphide-based semiconductor light-emitting device and production method thereof, United States Patent 6831304
- Semiconducting Properties of Cubic Boron Phosphide, B. Stone and D. Hill, Phys. Rev. Lett. vol. 4, 282–284 (1960) doi:10.1103/PhysRevLett.4.282