三乙基鎵
| 三乙基鎵 | |
|---|---|
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| IUPAC名 triethylgallane | |
| 系統名 triethylgallium | |
| 別名 | TEGa |
| 識別 | |
| CAS號 | 1115-99-7 |
| PubChem | 66198 |
| ChemSpider | 59583 |
| SMILES |
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| 性質[2] | |
| 化學式 | C6H15Ga |
| 莫耳質量 | 156.9 g·mol⁻¹ |
| 外觀 | 無色粘稠液體[1] |
| 密度 | 1.067 g·cm−3（25 °C） |
| 熔點 | -82 °C（191 K） |
| 沸點 | 143 °C（416 K） |
| 溶解性（水） | 水解 |
| 危險性 | |
| 主要危害 | 可自燃 |
| 相關物質 | |
| 其他陰離子 | 三甲基鎵 |
| 其他陽離子 | 三乙基硼 三乙基鋁 |
| 若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。 | |
三乙基鎵是化學式Ga(C2H5)3的有機鎵化合物。它是無色、可自燃的液體，可用於有機金屬化學氣相沉積法。[3]
製備和反應
三乙基鎵主要通過三氯化鎵的烷基化合成。使用格氏試劑醚溶液烷基化三氯化鎵會產生醚加合物，其中的醚分子不易移除。三乙基鎵也可通過三氯化鎵與三乙基鋁反應產生：[4]
- GaCl
3 + 3 AlEt
3 → GaEt
3 + 3 AlClEt
2
- GaEt
3 + 0.5 O
2 → GaEt
2(OEt) - GaEt
3 + EtOH → GaEt
2(OEt) + EtH
- 2GaEt
3 + GaCl
3 → 3 GaEt
2Cl
應用
用三乙基鎵生長出的化合物半導體的碳雜質較少，因此可在有機金屬化學氣相沉積法中替代三甲基鎵。[5]
參考資料
- ^ Brauer, Georg. Handbuch der präparativen anorganischen Chemie. Stuttgart: Enke. 1975: 847. ISBN 3-432-02328-6 （德語）.
- ^ 來源：Sigma-Aldrich Co., product no. 730726 .
- ^ Shenaikhatkhate, D; Goyette, R; Dicarlojr, R; Dripps, G. Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors. Journal of Crystal Growth. 2004, 272: 816. Bibcode:2004JCrGr.272..816S. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.
- ^ 4.0 4.1 4.2 J.J.Eisch, R. B. King (編). Organometallic Syntheses Volume 2. Nontransition Metal Compounds. NY, NY: Academic Press. 1981.
- ^ Saxler, A; Walker, D; Kung, P; Zhang, X; Razeghi, M; Solomon, J; Mitchel, W; Vydyanath, H. Comparison of trimethylgallium and triethylgallium for the growth of GaN (PDF). Applied Physics Letters. 1997, 71: 3272. Bibcode:1997ApPhL..71.3272S. doi:10.1063/1.120310.