三乙基镓
| 三乙基镓 | |
|---|---|
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| IUPAC名 triethylgallane | |
| 系统名 triethylgallium | |
| 别名 | TEGa |
| 识别 | |
| CAS号 | 1115-99-7 |
| PubChem | 66198 |
| ChemSpider | 59583 |
| SMILES |
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| 性质[2] | |
| 化学式 | C6H15Ga |
| 摩尔质量 | 156.9 g·mol⁻¹ |
| 外观 | 无色粘稠液体[1] |
| 密度 | 1.067 g·cm−3（25 °C） |
| 熔点 | -82 °C（191 K） |
| 沸点 | 143 °C（416 K） |
| 溶解性（水） | 水解 |
| 危险性 | |
| 主要危害 | 可自燃 |
| 相关物质 | |
| 其他阴离子 | 三甲基镓 |
| 其他阳离子 | 三乙基硼 三乙基铝 |
| 若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。 | |
三乙基镓是化学式Ga(C2H5)3的有机镓化合物。它是无色、可自燃的液体，可用于有机金属化学气相沉积法。[3]
制备和反应
三乙基镓主要通过三氯化镓的烷基化合成。使用格氏试剂醚溶液烷基化三氯化镓会产生醚加合物，其中的醚分子不易移除。三乙基镓也可通过三氯化镓与三乙基铝反应产生：[4]
- GaCl
3 + 3 AlEt
3 → GaEt
3 + 3 AlClEt
2
- GaEt
3 + 0.5 O
2 → GaEt
2(OEt) - GaEt
3 + EtOH → GaEt
2(OEt) + EtH
- 2GaEt
3 + GaCl
3 → 3 GaEt
2Cl
应用
用三乙基镓生长出的化合物半导体的碳杂质较少，因此可在有机金属化学气相沉积法中替代三甲基镓。[5]
参考资料
- ^ Brauer, Georg. Handbuch der präparativen anorganischen Chemie. Stuttgart: Enke. 1975: 847. ISBN 3-432-02328-6 （德语）.
- ^ 来源：Sigma-Aldrich Co., product no. 730726 .
- ^ Shenaikhatkhate, D; Goyette, R; Dicarlojr, R; Dripps, G. Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors. Journal of Crystal Growth. 2004, 272: 816. Bibcode:2004JCrGr.272..816S. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.
- ^ 4.0 4.1 4.2 J.J.Eisch, R. B. King (编). Organometallic Syntheses Volume 2. Nontransition Metal Compounds. NY, NY: Academic Press. 1981.
- ^ Saxler, A; Walker, D; Kung, P; Zhang, X; Razeghi, M; Solomon, J; Mitchel, W; Vydyanath, H. Comparison of trimethylgallium and triethylgallium for the growth of GaN (PDF). Applied Physics Letters. 1997, 71: 3272. Bibcode:1997ApPhL..71.3272S. doi:10.1063/1.120310.