光掩模
光掩模(英语:Reticle, Mask):在制作集成电路的过程中,利用光刻蚀技术,在半导体上形成图型,为将图型复制于晶圆上,必须透过光掩模作用的原理[1]。比如冲洗照片时,利用底片将影像复制至相片上。
结构
- 实体结构:布满集成电路图像的铬金属薄膜的石英玻璃片上的图像。
- 倍缩光掩模(Reticle):在投影式光刻机中,掩模作为一个光学器件位于会聚透镜(condenser lens)与投影透镜(projection lens)之间,它并不和晶圆有直接接触。掩模上的图形缩小4~10倍(现代光刻机一般都是缩小4倍)后透射在晶圆表面。为了区别接触式曝光中使用的掩模,投影式曝光中使用的掩模又被称为倍缩式掩模(reticle)。
- 光掩模(Mask):当铬膜玻璃上的图像能覆盖整个晶圆时称之为光掩模。
种类
相位移光掩模、二元光掩模
参考文献
- ^ 光罩.Mask.Reticle. [2010-03-19]. (原始内容存档于2010-10-03).
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