討論:閃存
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NVRAM
閃存(Flash)在英文版中被歸類為非易失性隨機存取存儲器（NVRAM，中文似乎沒有此頁），而在中文版中被歸類為電子抹除式可複寫只讀存儲器（EEPROM），哪個正確？ -Kovl（留言） 2013年8月28日 (三) 03:14 (UTC)
- 見仁見智，同樣是非揮發性記憶體(NVM)，不過目前快閃記憶體(flash memory)的規模(如市場、種類、應用……等)應已足夠的多與大到可以自成一類, 歸類於EEPROM可能就是10年前的分類法。Ccwesley（留言） 2013年8月28日 (三) 06:21 (UTC)
- 閃存、EEPROM和EPROM均屬於浮柵電晶體存儲器，利用浮柵拘束電子來保存數據，不同點主要在於擦除方式。EPROM使用紫外線擦除，EEPROM改由電子方式擦除，而Flash則進一步改變了擦除的單位和範圍。所以這幾種分類應該都是正確的。--Aixiangsui（留言） 2013年11月12日 (二) 13:39 (UTC)
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祝編安。—InternetArchiveBot (報告軟件缺陷) 2018年6月20日 (三) 22:02 (UTC)
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有關機械人修正錯誤的詳情請參閱FAQ。
祝編安。—InternetArchiveBot (報告軟件缺陷) 2018年7月30日 (一) 03:29 (UTC)
請求與快閃記憶體轉換層合併
2013-7-1DreaMQ的合併請求 死灰（留言） 2022年5月27日 (五) 04:38 (UTC)
沒有必要。該條目篇幅足夠大。 Hzt0208042508415531 tw（留言） 2022年6月21日 (二) 04:25 (UTC)