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包絡

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物理學工程學中,振盪信號包絡是一條勾勒出極值的光滑曲線[1]因此,包絡將恆定振幅的概念推廣為瞬時振幅。下圖展示了在上包絡與下包絡之間振盪的調製正弦曲線。包絡函數可以是時間、空間、角度或任何變量的函數。

調製正弦曲線的包絡

拍頻波

由兩個振幅相同、波長和頻率幾乎相同的正弦波相加產生的調製波。

在空間x和時間t中產生包絡函數的常見情況是波長和頻率幾乎相同的兩個波的疊加:[2]

其中使用了兩個正弦波相加的三角函數,以及近似值Δλ ≪ λ

此處調製波長λmod來自下式:[2][3]

調製波長是包絡波長的兩倍,因為餘弦波的每半個波長都控制着正弦波的正負值。同樣,拍頻是包絡波的頻率,是調製波頻率的兩倍,即2Δf[4]

如果這種波是聲波,耳朵聽到的是與f有關的頻率,振幅隨拍頻的變化而變化。[4]

相速度與群速度

紅色方塊以相速度移動,綠色圓圈以群速度傳播。

除2π之外,上述正弦波的參數是:

下標CE分別指載波和包絡。同樣的振幅F來自相同的ξC、ξE值,在適當相關的x、t選擇下,每個本身都可能返回到相同的值。這種不變性意味着可以在空間中追蹤波形,並找到固定振幅的位置在時間中傳播時的速度;要使載波參數保持不變,條件為:

這表明,要保持恆定振幅,距離Δx與時間間隔Δt的關係是相速度 vp

另一方面,同樣的考慮表明包絡線是群速度 vg:[5]

引入波向量k,可得更常見的群速度表達式:

注意到,對於微小變化Δλ而言,相應的波向量小變化Δk為:

於是群速度可重寫為:

其中ω是以弧度/秒為單位的頻率:ω = 2πf。在所有介質中,頻率和波向量都與色散關係ω = ω(k)有關,群速度可以寫成:

與GaAs晶格振動對應的某些波的色散關係ω=ω(k)。[6]

在經典真空等介質中,電磁波的色散關係為:

其中c0是經典真空中的光速。這種情況下,相速度和群速度都是c0

在所謂色散介質中,色散關係可能是波向量的複雜函數,相速度和群速度也不盡相同。例如,對於GaAs中原子振動(聲子)表現出的幾種波,不同波向量k方向的色散關係如圖所示。一般而言,相速度和群速度的方向可能不同。[7]

函數近似

根據包絡函數計算的GaAs-GaAlAs異質結中160Ǻ GaAs量子阱最低兩個量子態的電子概率。[8]

凝聚態物理學中,晶體中移動電荷載流子的能量本徵函數可表為布洛赫波

其中n是帶的編號(如導帶或價帶),r是空間位置,k波矢。指數是正弦變化函數,對應一個緩慢變化的包絡,調製波函數un, k的快速變化部分,描述波函數在晶格原子核心附近的行為。包絡只限於晶體布里淵區限定範圍內的k值,這就限制了它隨位置r變化的速度。

量子力學確定載流子行為時,通常使用包絡近似法。其中薛定諤方程被簡化到僅指包絡的行為,邊界條件直接應用於包絡函數,而非完整的波函數。[9]例如,被困在雜質附近的載流子波函數受包絡函數F支配,函數是布洛赫函數的疊加:

其中包括F(k)的傅立葉分量由近似薛定諤方程求得。[10]在某些應用中,周期部分uk被帶緣附近的值取代,如k=k0,接着:[9]

繞射圖樣

雙峰繞射圖樣具有單縫包絡線。

多縫繞射圖樣的包絡由單縫繞射圖樣決定,後者的包絡線如下:[11]

其中α是繞射角,d是狹縫寬度,λ是波長。對多個狹縫,圖樣為[11]

其中q為狹縫數量,g是光柵常數。第一個因子即單縫結果I1,調製着第二個變化更快的因子,取決於狹縫數量與間距。

估計

包絡檢波器是從信號中提取包絡的電子電路。

數碼訊號處理中,可用希爾伯特變換滑動平均RMS振幅估計包絡。[12]

另見

參考文獻

  1. ^ C. Richard Johnson, Jr; William A. Sethares; Andrew G. Klein. Figure C.1: The envelope of a function outlines its extremes in a smooth manner. Software Receiver Design: Build Your Own Digital Communication System in Five Easy Steps. Cambridge University Press. 2011: 417. ISBN 978-0521189446. 
  2. ^ 2.0 2.1 Blair Kinsman. Wind Waves: Their Generation and Propagation on the Ocean Surface Reprint of Prentice-Hall 1965. Courier Dover Publications. 2002: 186. ISBN 0486495116. 
  3. ^ Mark W. Denny. Air and Water: The Biology and Physics of Life's Media需要免費註冊. Princeton University Press. 1993: 289. ISBN 0691025185. 
  4. ^ 4.0 4.1 Paul Allen Tipler; Gene Mosca. Physics for Scientists and Engineers, Volume 1 6th. Macmillan. 2008: 538. ISBN 978-1429201247. 
  5. ^ Peter W. Milonni; Joseph H. Eberly. §8.3 Group velocity. Laser Physics 2nd. John Wiley & Sons. 2010: 336. ISBN 978-0470387719. 
  6. ^ Peter Y. Yu; Manuel Cardona. Fig. 3.2: Phonon dispersion curves in GaAs along high-symmetry axes. Fundamentals of Semiconductors: Physics and Materials Properties 4th. Springer. 2010: 111. ISBN 978-3642007095. 
  7. ^ V. Cerveny; Vlastislav Červený. §2.2.9 Relation between the phase and group velocity vectors. Seismic Ray Theory. Cambridge University Press. 2005: 35. ISBN 0521018226. 
  8. ^ G Bastard; JA Brum; R Ferreira. Figure 10 in Electronic States in Semiconductor Heterostructures. Henry Ehrenreich; David Turnbull (編). Solid state physics: Semiconductor Heterostructures and Nanostructures. 1991: 259. ISBN 0126077444. 
  9. ^ 9.0 9.1 Christian Schüller. §2.4.1 Envelope function approximation (EFA). Inelastic Light Scattering of Semiconductor Nanostructures: Fundamentals And Recent Advances. Springer. 2006: 22. ISBN 3540365257. 
  10. ^ For example, see Marco Fanciulli. §1.1 Envelope function approximation. Electron Spin Resonance and Related Phenomena in Low-Dimensional Structures. Springer. 2009: 224 ff. ISBN 978-3540793649. 
  11. ^ 11.0 11.1 Kordt Griepenkerl. Intensity distribution for diffraction by a slit and Intensity pattern for diffraction by a grating. John W Harris; Walter Benenson; Horst Stöcker; Holger Lutz (編). Handbook of physics. Springer. 2002: 306 ff. ISBN 0387952691. 
  12. ^ Envelope Extraction - MATLAB & Simulink. MathWorks. 2021-09-02 [2021-11-16]. (原始內容存檔於2023-10-19).