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三氧化二鋱

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三氧化二鋱
IUPAC名
terbium(III) oxide
別名 氧化鋱(III)
倍半氧化鋱
識別
CAS號 12036-41-8  checkY
PubChem 159410
SMILES
 
  • [O-2].[O-2].[O-2].[Tb+3].[Tb+3]
InChI
 
  • 1/3O.2Tb/q3*-2;2*+3
EINECS 234-849-5
性質
化學式 O3Tb2
摩爾質量 365.85 g·mol−1
外觀 白色粉末
密度 7.91 g/cm3
熔點 2410 °C(2683 K)
結構
晶體結構 立方cI80
空間群 Ia-3, No. 206[1]
危險性
歐盟危險性符號
刺激性刺激性 Xi
警示術語 R:R36/37/38
安全術語 S:S26-S36
若非註明,所有數據均出自標準狀態(25 ℃,100 kPa)下。

三氧化二鋱,化學式Tb2O3

性質

白色粉末。與其他主要鑭系氧化物類似,三氧化二鋱有兩種晶體結構。較穩定的一種結構是缺陷螢石型結構(方鐵錳礦英語Bixbyite結構),晶格參數 a = 10.72 Å。[2] 另一種結構則為單斜晶系,可在熔融氧化鋱氧化鎂結晶時生成。[3]

三氧化二鋱用摻雜後是一種p型半導體[4]

製備

單質與氧氣化合時產生七氧化四鋱,因此三氧化二鋱不能通過單質化合來製備。它一般是通過用氫氣還原七氧化四鋱而製得(1300°C,24小時[5])。[6]

用途

純三氧化二鋱的用途很少。它可用作製取七氧化四鋱的原料。

參考資料

  1. ^ Curzon A.E., Chlebek H.G. The observation of face centred cubic Gd, Tb, Dy, Ho, Er and Tm in the form of thin films and their oxidation. J. Phys. F. 1973, 3 (1): 1–5. doi:10.1088/0305-4608/3/1/009. 
  2. ^ N. C. Baenzinger, H. A. Eick, H. S. Schuldt, L. Eyring: Terbium Oxides. III. X-Ray Diffraction Studies of Several Stable Phases. In: Journal of the American Chemical Society, 1961, 83, 10, S. 2219-23.
  3. ^ E. Hubbert-Paletta, Hk. Müller-Buschbaum: Röntgenographische Untersuchung an Einkristallen von monoklinem Tb2O3. In: Zeitschrift fiir anorganische und allgemeine Chemie, 1968, 363, S. 145-150, doi:10.1002/zaac.19683630306.
  4. ^ Reidar Haugsrud, Yngve Larring, and Truls Norby. Proton conductivity of Ca-doped Tb
    2
    O
    3
    . Solid State Ionics (Elsevier B.V.). December 2005, 176 (39–40): 2957–2961. doi:10.1016/j.ssi.2005.09.030.
     
  5. ^ G. J. McCarthy. Crystal data on C-type terbium sesquioxide (Tb
    2
    O
    3
    ). Journal of Applied Crystallography. October 1971, 4 (5): 399–400. doi:10.1107/S0021889871007295.
     
  6. ^ N. N. Greenwood, A. Earnshaw: Chemie der Elemente. 1. Auflage, VCH Verlagsgesellschaft, 1988, ISBN 3-527-26169-9.