後段製程
.svg)
後段製程[2]（英語：back end of line，BEOL，中國大陸作後道工序[1]或後端工藝，台灣作後段製程[2]）是IC製造的第二部分，其中各個元件（電晶體、電容器、電阻器等）與晶圓上的布線（金屬化層）互連。常見的金屬有銅和鋁。 [3]BEOL通常在晶圓上沉積第一層金屬時開始。BEOL包括觸點、絕緣層（電介質）、金屬層以及用於晶片與封裝連接的接合位點。
在最後一個FEOL步驟之後，就會出現一個帶有隔離電晶體（沒有任何電線）的晶圓。在製造階段的BEOL部分中，形成接觸（焊盤）、互連線、通孔和介電結構。對於現代IC製程，可以在BEOL中添加 10 多個金屬層。
BEOL 步驟：
- 源極和汲極區域以及多晶矽區域的矽化。
- 添加電介質（第一層，下層是預金屬電介質（PMD） – 將金屬與矽和多晶矽隔離，對其進行CMP處理
- 在 PMD 上打孔，並在其中建立接觸點。
- 添加金屬層1
- 添加第二個電介質，稱為金屬間電介質（IMD）
- 通過電介質製作通孔以將較低金屬與較高金屬連接。通過金屬CVD製程填充通孔。
- 重複步驟 4-6 以獲取所有金屬層。
- 添加最終鈍化層以保護微晶片
1998 年之前，幾乎所有晶片都使用鋁作為金屬互連層。 [4]
BEOL 之後有一個「後段製程」，該製程不是在潔淨室中完成的，通常由不同的公司完成。它包括晶圓測試、晶圓背面研磨、晶片分離、晶片測試、 IC封裝和最終測試。
相關
參考
- ^ 后道工艺. 上海科技大學. [2024-12-25].
- ^ 國發會：今年經濟豐收、明年利大於弊 後段製程有望全球領先. ETtoday財經雲. [2024-12-25] （中文（臺灣））.
- ^ Karen A. Reinhardt and Werner Kern. Handbook of Silicon Wafer Cleaning Technology 2nd. William Andrew. 2008: 202. ISBN 978-0-8155-1554-8.
- ^ Copper Interconnect Architecture. [2024-01-26]. （原始內容存檔於2024-01-26）.
進一步閱讀
- Chapter 11: Back End Technology
. Prentice Hall. 2000: 681–786. ISBN 0-13-085037-3. - Chapter 7.2.2: CMOS Process Integration: Backend-of-the-line Integration. Wiley-IEEE. 2010: 199–208 [177–79]. ISBN 978-0-470-88132-3.
