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後道工序

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BEOL (金屬化層)和FEOL (器件)。
CMOS製造工藝

後段製程[2](英語:back end of lineBEOL,中國大陸作後道工序[1]後端工藝)是IC製造的第二部分,其中各個器件(晶體管、電容器、電阻器等)與晶圓上的布線(金屬化層)互連。常見的金屬有和鋁。 [3]BEOL通常在晶圓上沉積第一層金屬時開始。BEOL包括觸點、絕緣層(電介質)、金屬層以及用於芯片與封裝連接的接合位點。

在最後一個FEOL步驟之後,就會出現一個帶有隔離晶體管(沒有任何電線)的晶圓。在製造階段的BEOL部分中,形成接觸(焊盤)、互連線、通孔和介電結構。對於現代IC工藝,可以在BEOL中添加 10 多個金屬層。

BEOL 步驟:

  1. 源極和漏極區域以及多晶硅區域的硅化。
  2. 添加電介質(第一層,下層是預金屬電介質(PMD) – 將金屬與硅和多晶硅隔離,對其進行CMP處理
  3. 在 PMD 上打孔,並在其中建立接觸點。
  4. 添加金屬層1
  5. 添加第二個電介質,稱為金屬間電介質(IMD)
  6. 通過電介質製作通孔以將較低金屬與較高金屬連接。通過金屬CVD工藝填充通孔。
    重複步驟 4-6 以獲取所有金屬層。
  7. 添加最終鈍化層以保護微芯片

1998 年之前,幾乎所有芯片都使用鋁作為金屬互連層。 [4]


BEOL 之後有一個「後段製程」,該工藝不是在潔淨室中完成的,通常由不同的公司完成。它包括晶圓測試晶圓背面研磨芯片分離、芯片測試、 IC封裝和最終測試。

相關

參考

  1. ^ 后道工艺. 上海科技大學. [2024-12-25]. 
  2. ^ 國發會:今年經濟豐收、明年利大於弊 後段製程有望全球領先. ETtoday財經雲. [2024-12-25] (中文(臺灣)). 
  3. ^ Karen A. Reinhardt and Werner Kern. Handbook of Silicon Wafer Cleaning Technology 2nd. William Andrew. 2008: 202. ISBN 978-0-8155-1554-8. 
  4. ^ Copper Interconnect Architecture. [2024-01-26]. (原始內容存檔於2024-01-26). 

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