金屬半導體場效電晶體
金屬半導體場效電晶體(英語:metal semiconductor field effect transistor, MESFET),簡稱金半場效電晶體,是一種在結構上與接面場效電晶體類似,不過它與後者的區別是這種場效電晶體並沒有使用PN接面作為其閘極,而是採用金屬、半導體接觸結,構成蕭特基勢壘的方式形成閘極。金屬半導體場效電晶體通常由化合物半導體構成,例如砷化鎵、磷化銦、碳化矽等,它的速度比由矽製造的接面場效電晶體或MOSFET更快,但是造價相對更高。金屬半導體場效電晶體的工作頻率最高可以達到45 GHz左右,[1]在微波頻段的通信、雷達等設備中有著廣泛應用。第一個金屬半導體場效電晶體在1966年被發明,其良好的極高頻性能在隨後的一年即展現出來。[2]在數位電路設計領域,由於數位積體電路的集成度不斷提高,因此使用金屬半導體場效電晶體並不如CMOS。
參考文獻
- ^ Lepkowski, W.; Wilk, S.J.; Thornton, T.J., 45 GHz Silicon MESFETs on a 0.15 μm SOI CMOS Process, SOI Conference, 2009 IEEE International (Foster City, CA), 2009: 1–2 [2013-01-06], ISBN 978-1-4244-4256-0, ISSN 1078-621X, (原始內容存檔於2019-07-01)
- ^ GaAs FET MESFET (頁面存檔備份,存於網際網路檔案館) radio-electronics.com.
相關條目