記憶T細胞
記憶T細胞是一個T淋巴細胞子類,該種細胞曾經遇到過某種特定抗原且產生過反應。這些細胞可識別外來入侵物,比如細菌、病毒、癌細胞等。記憶T細胞的形成通常是因為曾受特定抗原的感染、經歷癌症或接種疫苗。當同一個抗原再次進入人體時,記憶T細胞可以更快地產生比首次接觸此抗原更強烈的免疫反應。這一行為被用於T細胞增殖化驗來驗證曾經是否接觸過某種抗原。記憶T細胞的形成主要與CD8+細胞的在原初反應中表達CD8αα效應有關,但相關研究還表明某些在原初反應中加入時間較短,同時APCs上的共激分子阻礙了T細胞與某些配基的反應,使某些凋亡信號來不及產生效應細胞的也能逃過死亡成為記憶細胞
子類
在所有的記憶T細胞中,至少有三種可以由不同的CCR7趨化因子受體和CD62L蛋白表達加以區別。[1]
除了以上兩種已知行為的記憶T細胞外,還有一種同時表達CCR7、CD62L蛋白、CD27、CD28的記憶T細胞。[2]
功能
針對特定抗原的記憶T細胞在TCM和TEM子類中都存在。儘管目前多數信息都是以對細胞毒性T細胞(CD8陽性)的觀察得來的,但是相似的性質在輔助型T細胞(CD4陽性)和細胞毒T細胞上都有出現。
TCM細胞被認為與幹細胞擁有一些相似的性質。TCM細胞顯示出一種自我更新的能力,因為他的一種關鍵的轉錄因子STAT5擁有很高的磷酸化成程度。[3]在老鼠身上做的實驗發現,TCM細胞相對TEM而言,對病毒[4]、細菌[4]和癌症[5]侵蝕的抵抗能力更強。
有兩種與表達合成細胞因子功能的基因的細胞毒T細胞高度相關的效應記憶T細胞:
- 效應記憶T細胞TEM
- RA效應記憶T細胞TEMRA
最近,在老鼠身上已經發現了部分與抗原接觸過的CD8陽性T細胞具有明顯的自我更新能力。[6][7]這部分T細胞現在被稱為干記憶T細胞(TSCM),可以由CD44低CD62L高CD122高SCA-1高的蛋白表達模式加以鑑別,並可以在不改變自身性質的情況下產生TCM與TEM細胞。臨床研究中發現TSCM相對其它種類的記憶T細胞具有更好的抵抗力。[7]該種細胞是否存在於人體內仍在研究當中。
最近的科學研究發現脾臟中的T細胞在迷走神經刺激下可以合成乙醯膽鹼。[8]該種方法被認為可能能夠減輕巨噬細胞分泌的腫瘤壞死因子所引起的炎症。
參考文獻
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- ^ Science Sept 15, 2011. DOI : 10.1126/science.1209985
延伸閱讀
- Janeway, Charles. Immunobiology: the immune system in health and disease. New York: Garland Science. 2005. ISBN 978-0-443-07310-6.
- Lichtman, Andrew H.; Abbas, Abul K. Cellular and molecular immunology. Philadelphia: Saunders. 2003. ISBN 0-7216-0008-5.
- T-cell Group - Cardiff University