外延 (晶体)
“外延 (晶体)”的各地常用名称 | |
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中国大陆 | 外延 |
台湾 | 磊晶[1] |
外延(英语:Epitaxy),是指一种用于半导体器件制造过程中,在原有晶片上长出新结晶以制成新半导体层的技术。此技术又称外延成长(Epitaxial Growth),或指以外延技术成长出的结晶,有时可能也概指以外延技术制作的晶粒。
外延技术可用以制造硅晶体管到CMOS集成电路等各种组件,尤其在制作化合物半导体例如砷化镓外延晶圆时,外延尤其重要。
外延成长技术的种类
- 化学气相沉积
- 分子束外延技术:在高度真空下在表面沉积新的半导体结晶层的外延技术,相关可见真空蒸镀技术。
- 液相外延或称液态外延(英语:Liquid Phase Epitaxy, LPE)的外延技术
- 固相外延(英语:Solid Phase Epitaxy, SPE)的外延技术
参考来源
- 文献
- Jaeger, Richard C. Film Deposition. Introduction to Microelectronic Fabrication 2nd. Upper Saddle River: Prentice Hall. 2002. ISBN 0-201-44494-1.
- 引用
外部链接
维基共享资源中相关的多媒体资源:
- epitaxy.net(页面存档备份,存于互联网档案馆): a central forum for the epitaxy-communities
- Deposition processes(页面存档备份,存于互联网档案馆)