卓以和

卓以和
出生	1937年7月10日  （87岁） 北平市
母校	伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校 香港培正中学
职业	发明家
奖项	国家技术与创新奖章 (美国)、埃利奥特·克雷森奖章、IEEE荣誉奖章、拉姆福德奖、美国国家发明家名人堂、Morris N. Liebmann纪念奖、美国物理学会会士、詹姆斯·麦格罗蒂新材料奖、Willis E. Lamb Award

卓以和（英语：Alfred Yi Cho，1937年7月10日—），籍贯北平，美国华裔物理学家，电器工程师，分子束外延（Molecular beam epitaxy）技术的鼻祖，量子级联镭射器的共同发明人，对Ⅲ－V族化合物半导体、金属和绝缘体的异质外延和人工结构的量子阱、超晶格及调制掺杂微结构材料系统地开展了大量先驱性的研究工作。

生平

卓以和于1937年生于北京。他的祖父卓定谋（字君庸）是中华民国第一届国大代表。1949年全家移住香港，就读于培正中学。

卓以和高中毕业后，留学美国，在伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校（University of Illinois at Urbana-Champaign）取得电气工程学士、硕士和博士学位。

卓以和的专长为应用物理科学和工程科学。主要的贡献是发明分子束外延（Molecular beam epitaxy）技术和量子级联镭射器（Quantum cascade laser）。

卓以和目前担任美国Alcatel-Lucent贝尔实验室半导体研究所助理副总裁。目前并担任中华民国教育部、工研院、中研院物理所顾问。

荣誉

卓以和曾获选为

• 1985年， 美国国家科学院院士，
• 美国工程学院院士，
• 美国文理科学院院士
• 美国物理学会会员，
• 1990年，中央研究院院士，
• 1996年，中国科学院外籍院士。

获奖：

• 1993年，获颁美国国家科学奖章（National Medal of Science），
• 1994年，获颁IEEE荣誉奖章，
• 2007年，获颁美国国家技术奖章（National Medal of Technology）。

家庭

卓以和夫妇育有一儿三女。

参见

• 美国国家科学院