电子式可擦除可编程只读存储器

放在美国一分硬币上的一枚SOT-23封装与正反面两枚超微型DFN封装的序列式EEPROM ，型号11LC160，容量16 kbit

一枚 4 Mbit (= 512 KB) 容量，型号 29C040 的 Flash EEPROM

电子式可擦除可编程只读存储器 （英语：Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory，简称：EEPROM或E²PROM），是一种只读存储器（ROM），可以通过电子方式多次复写。相比EPROM， EEPROM 不需要用紫外线照射，也不需取下，就可以用特定的电压，来抹除晶片上的资讯，以便写入新的数据， EEPROM 属于SPD（串行存在检测）技术的一种延伸。

EEPROM分为四种工作模式：读取模式、写入模式、擦除模式、校验模式。读取时，晶片只需要Vcc低电压（一般+5V）供电。而在编程写入时，晶片会通过Vpp（一般+25V, 有时较新者会使用 +12V 或 +5V）获得编程电压，并通过PGM编程脉冲（一般为50ms）写入数据。擦除时，只需使用Vpp高电压，不需要紫外线照射，便可以擦除指定地址中的内容。为保证写入正确，每写入一块数据后，都需要进行类似于读取的校验步骤，若错误就重新写入。现今的 EEPROM 通常已不再需要使用额外的 Vpp 电压，且写入时间也已有缩短。在民用的DDR SDRAM及其主流后续产品中，一般 EEPROM 主要用于保存内存的开发者资讯、生产时间、内存资讯、通讯协议、既定内存频率、供电电压、供电电流、物理消息以及内存XMP等消息，且电脑会在开机自检（Power-On Self-Test；POST）时会读取这些消息以保持电脑的正常开机。

闪存是EEPROM的后续延伸。

历史

1978年，Intel公司的George Perlegos在EPROM技术的基础上，改用薄的闸极氧化层，以便无需紫外光，晶片就可以用电气方式抹除自身的位元，因而开发出型号为2816的16kbit EEPROM。Perlegos与一些同事后来离开Intel，创立 Seeq Technology 公司后，在晶片上内建电荷泵（charge pump）以提供刻录时自身所需的高电压，因而推出只需5V电压的EEPROM，利于实施在线刻录（In-System Programming，ISP 或称 In-Circuit Programming，ICP）。

EEPROM 组件的类型

有的 EEPROM 是包含于其他组件中，为该组件的一部分。 例如：MCU 中可能包含用来存储程序或资料的 EEPROM、数码电位器（Digital Potentiometer）内也需要 EEPROM 来存储目前的设置值。

单独的 EEPROM 组件，其通信口通常可分为串行（serial）与并行（parallel）两类。除电源线外，串行通信口只使用1~4只接线来传递信号，所需接脚较并行式少，通常用来存储资料。执行用的程序则通常放在并行式的 EEPROM 中，以利存取。

序列式EEPROM

• Microwire 通信口（4线）：型号为以 93 开头的系列。例：93C46
• I2C^TM 通信口（2线）：型号为以 24 开头的系列。例：24LC02
• SPI 通信口（3线）：型号为以 25 开头的系列。例：25LC08
• UNI/O^TM通信口（1线）：由 Microchip 公司出品，型号为以 11 开头的系列。
• 1-Wire^® 通信口（1线）：由 Dallas / Maxim 公司出品。

并行式EEPROM

型号通常为以 28 开头的系列。

至于型号通常为以 29 或 49 开头的系列，写入须以较大的区块为单位，此种存储器一般会使用 Flash （闪存/闪存）来称呼。至于能以较小单位(例如以字节)擦除或写入的则才以 EEPROM 称呼，以作区别。

世界主要制造商

• ON Semiconductor 安森美半导体
• Mitsubishi 三菱
• Atmel 爱特梅尔 （页面存档备份，存于互联网档案馆）
• Hitachi 日立
• Infineon 英飞凌
• Macronix 旺宏电子 （有生产 NOR/ NAND Flash）
• 美信集成产品
• Maxwell Technologies （页面存档备份，存于互联网档案馆）
• 微晶片科技 微芯
• NXP Semiconductors 恩智浦半导体
• Renesas Technology 瑞萨科技
• Rohm 罗姆电子
• Samsung Electronics 三星电子
• STMicroelectronics 意法半导体
• Seiko Instruments 精工
• Toshiba Semiconductor 东芝
• Winbond 华邦电子