電子注入增強柵電晶體

電子注入增強柵電晶體（Injection enhanced gate transistor），簡稱IEGT，是一種結合了GTO和IGBT元件優點的電子半導體器件，具有功率大、體積小、效率高、耐壓值高、節能性高等特性。

IEGT最先由日本東芝於1993年所研發，並以注入式增強結構（Injection Enhanced，簡稱IE）技術，取得IEGT器件開發與生產專利，也使得東芝成為IEGT器件的主要生產與供應商。