直流濺射

在直流濺射中，在靶和待塗覆的基板之間施加幾百伏的直流電壓，因此它也被稱為直流電壓濺射。

作用原理

靶形成負電極，基板形成帶正電電極。通過使用（例如，作為稀有氣體的原子碰撞電離氬氣）形成在一個氣體空間的等離子體（氬低壓等離子體），帶負電荷的電子和帶正電荷氣體離子諸如Ar的組件，或通過在基片的方向上施加的直流電壓目標。它在目標上遇到永久的正離子流; 因此名稱叫直流濺射，直流或直流濺射。在與目標顆粒撞擊時，通過動量傳遞從目標噴射粒子，該動量傳遞在基板方向上遠離目標移動並在那裏作為薄層沉積（沉積）。

該方法的主要缺點是它只能用於導電靶材料。對於電絕緣材料，將通過目標和基板的新電荷載體的恆定供應來充電，因此補償直流電壓場並阻礙濺射過程，因為隨後的離子將被電擊穿。另外，可實現的濺射速率以及因此塗覆速率相對較低，因為在所使用的低壓等離子體中僅形成少量濺射氣體離子。

上述雙電極變體也稱為直流二極管濺射。另外，還存在諸如直流三極管濺射的其他形式，其中靶被佈置為等離子體室外部的第三電極。以這種方式，等離子體產生和濺射過程可以解開耦合。