Nvidia Ampere| 製造工藝 | |
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| 前代產品 | |
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| 後繼產品 | |
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安培微架構（Ampere）是NVIDIA於2020年5月發佈的一個GPU架構。用以取代圖靈微架構（Turing microarchitecture）。命名為「安培」以向法國物理學家安德烈-馬里·安培（André-Marie Ampère）致敬。Ampere架構擁有電晶體達540億，是三星8nm級晶片。[1]是世界上電晶體最多的晶片，直到後來被蘋果M1 Max擊敗[2]。
NVIDIA在 GTC 2022 上宣佈了安培微架構的繼任者霍普微架構(Hopper)，並在 2021 年 GPU 技術大會上宣佈了 2024 年發佈的「Ampere Next Next」。
硬件
- NVIDIA A100 Tensor Core GPU基於NVIDIA Ampere架構，是針對 AI、數據分析和 HPC的GPU。[3]
- DGX A100系統整合8個NVIDIA A100 Tensor Core GPU、有着320GB主記憶體，擁有NVIDIA Mellanox® HDR 200Gbps互連以及5Petaflops 的AI效能。[4]
- DGX SuperPOD是140台DGX A100系統運用MellanoxHDR 200Gbps InfiniBand互連技術組成的一個叢集，AI計算能力達到了700Petaflops。[5]
- NVIDIA EGX™ A100是NVIDIA於2020年5月發佈的基於Ampere架構的一款邊緣AI平台。[6]
- NVIDIA GeForce 30系列
- GeForce RTX 3050
- GeForce RTX 3060
- GeForce RTX 3060Ti
- GeForce RTX 3070
- GeForec RTX 3070Ti
- GeForce RTX 3080 10GB
- GeForce RTX 3080 12GB
- GeForce RTX 3080Ti
- GeForce RTX 3090
- GeForce RTX 3090Ti
核心組態
| 核心代號
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GPC
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SM/GPC
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每個SM含有的各類核心
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製程
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影像記憶體支援
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晶片面積（mm2）
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電晶體數（億個）
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| 單精度浮點核心
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雙精度浮點核心
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32位元整數核心
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張量運算核心
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光線追蹤核心
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紋理對映單元
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| GA100
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8
|
16
|
64
|
32
|
64
|
4
|
-
|
4
|
台積電 7nm
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HBM2
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826
|
542
|
| GA102
|
7
|
12
|
128
|
-
|
1
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三星 8nm
|
GDDR6X
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628
|
283
|
| GA104
|
4
|
GDDR6
|
393
|
174
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- 在作為計算卡專用的GA100核心中，和其前身一樣，每個SM中安排有32個雙精度浮點核心；在作為非計算卡使用的GA102等核心中，這些雙精度浮點核心被替換為兩倍數量的單精度浮點核心。由於單精度浮點核心事實上作為絕大多數遊戲的流處理器，因此單個SM表觀流處理器數量達到上一代的2倍，RTX 3070的流處理器數量達到近6千個，接近上代旗艦RTX 2080 Ti；但相應的，用單精度浮點核心模擬雙精度的效率並不高，因此遊戲顯示卡的雙精度浮點計算速度（主要作用於挖礦和深度學習等應用）相較上代並沒有明顯提升。
- 電晶體密度：GA100使用台積電7nm製程達到約6600萬/mm2，GA102、GA104使用三星8nm製程達到約4500萬/mm2，而上代的圖靈全系列均使用台積電12nm製程，僅達到約2500萬/mm2。
- A100顯示卡中每個SM私有的L1/共用主記憶體容量達到了192KB，相比於前代V100顯示卡的128KB增加了1.5倍。
記錄
2020年7月，根據MLPerf基準測試結果，NVIDIA宣佈安培打破16項世界紀錄，包括加速器的八項基準測試和叢集DGX SuperPOD的八項。[7]
參考資料
外部連結
