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過渡金屬二硫屬化物單層

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(a) 六角形TMD單層結構。 M 原子為黑色,X 原子為黃色。 (b) 從上方看到的六角形TMD單層。

過渡金屬二硫屬化物TMDTMDC單層材料是MX2類型的原子層半導體材料薄膜,其中M是過渡金屬原子,包括(Mo)、(W)等,X是硫族原子,包括(S)、(Se)、(Te)。一層M原子夾在兩層X原子之間,即構成該二維材料。與第一行過渡金屬二硫化物相比,這些材料的關鍵特徵是二維結構中大原子間的相互,WTe2表現出反常的巨磁阻超導性[1]

而WSe2作為一種二維材料,廣泛應用於電子器件、光電器件、能源存儲與轉換以及傳感器等領域,具有優異的電子、光學和催化性能。[2]

參考文獻

  1. ^ Eftekhari, A. Tungsten dichalcogenides (WS2, WSe2, and WTe2): materials chemistry and applications. Journal of Materials Chemistry A. 2017, 5 (35): 18299–18325. doi:10.1039/C7TA04268J. 
  2. ^ Chen, Sihan; Zhang, Yue; King, William P.; Bashir, Rashid; van der Zande, Arend M. Edge‐Passivated Monolayer WSe2 Nanoribbon Transistors. Advanced Materials. 2024-07-18. ISSN 0935-9648. doi:10.1002/adma.202313694.