相變化記憶體

相變化記憶體（英語：Phase-change memory，英語：Ovonic Unified Memory，英語：Chalcogenide RAM，簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又譯為相變位記憶體，是一種非揮發性記憶體裝置。PRAM使用含一種或多種硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）製成，目前的主流為GeSbTe系合金。硫屬玻璃的特性是，經由加熱可以改變它的狀態，成為晶體（Crystalline）或非晶體（Amorphous）。這些不同狀態具有相應的電阻值。因此 PRAM 可以用來儲存不同的數值。 它是未來可能取代快閃記憶體的技術之一。

發展狀況

Intel在2003年開始進行研發。

目前研究的單位有 Intel，Samsung，Macronix，Advanced Memory Corp.

外部連結

• 攻克相變儲存 PCM晶片比當前快閃記憶體快100倍 （頁面存檔備份，存於互聯網檔案館）