氧化銦錫

物理屬性
物態	固體
熔點	1800-2200 K (1500-1900 °C)
密度	7120-7160 kg/m3 at 293 K
顏色 (粉末狀)	淺黃到綠黃色，取決於SnO2濃度
值隨成分改變.
除非特別標註，這裏使用SI單位制 & STP。

氧化銦錫 (ITO，或者摻錫氧化銦)是一種銦（III族）氧化物 (In₂O₃) and 錫（IV族）氧化物 (SnO₂)的混合物，通常質量比為90% In₂O₃，10% SnO₂。它在薄膜狀時，為透明無色。在塊狀態時，它呈黃偏灰色。

氧化銦錫主要的特性是其電學傳導和光學透明的組合。然而，薄膜沉積中需要作出妥協，因為高濃度電荷載流子將會增加材料的電導率，但會降低它的透明度。

氧化銦錫薄膜最通常是用電子束蒸鍍、物理氣相沉積、或者一些濺鍍沉積技術的方法沉積到表面。

因為銦的價格高昂和供應受限、ITO層的脆弱和柔韌性的缺乏、以及昂貴的層沉積要求真空，其它取代物正被設法尋找。碳納米管導電鍍膜是一種有前景的替代品。這類鍍膜正Eikos由發展為廉價的、力學強度更高的ITO替代品。PEDOT和PEDOT:PSS已經被愛克發和H.C. Starck製造出來.PEDOT:PSS層已經進入應用階段（但它也有當暴露與紫外輻射下時它會降解以及一些其他的缺點）。別的可能性包括諸如鋁-參雜的鋅氧化物。

使用

ITO主要用於製作液晶顯示器、平板顯示器、等離子顯示器、觸摸屏、電子紙等應用、有機發光二極管、以及太陽能電池、和抗靜電鍍膜還有EMI屏蔽的透明傳導鍍膜。

ITO也被用於各種光學鍍膜，最值得注意的有建築學中紅外線-反射鍍膜(熱鏡)、汽車、還有鈉蒸汽燈玻璃等。別的應用包括氣體傳感器、抗反射膜、和用於VCSEL激光器的布拉格反射器。

ITO薄膜應力規可以在高於1400 °C及嚴酷的環境中使用，例如氣體渦輪、噴氣引擎、還有火箭引擎 [1] （頁面存檔備份，存於互聯網檔案館）

外部連結

Spectroscopic studies of conducting metal 氧化物s, with many slides about ITO