東微半導體
蘇州東微半導體有限公司，簡稱東微半導體（英語：Oriental Semiconductor；上交所：688261，簡稱：東微半導），是一家位於中國江蘇省蘇州市蘇州工業園區的創業公司[1]。該公司與復旦大學微電子學院張衛課題組合作研製出了世界第一個半浮柵電晶體（SFGT）[2]，該研究成果刊登在2013年8月9日的《科學》雜誌上[3]。
參考資料
- ^ 吳秋華. 创意到创业“天使”来搭桥. 蘇州日報. 2009-07-25 [2013-08-13]. （原始內容存檔於2017-04-23）.
- ^ 中国研出首个半浮栅晶体管 属微电子罕见成就. 中國科學報. 2013-08-12 [2013-08-13]. （原始內容存檔於2013-09-13）.
- ^ Wang, P.-F.; Lin, X.; Liu, L.; Sun, Q.-Q.; Zhou, P.; Liu, X.-Y.; Liu, W.; Gong, Y.; Zhang, D. W. A Semi-Floating Gate Transistor for Low-Voltage Ultrafast Memory and Sensing Operation. Science. 2013, 341 (6146): 640–3. PMID 23929978. doi:10.1126/science.1240961.
外部連結
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