高電子遷移率晶體管
高電子遷移率晶體管（英語：High electron mobility transistor, HEMT），也稱調製摻雜場效應管（modulation-doped FET, MODFET）是場效應電晶體的一種，它使用兩種具有不同能隙的材料形成異質結，為載流子提供通道，而不像金屬氧化物半導體場效電晶體那樣，直接使用摻雜的半導體而不是結來形成導電溝道。砷化鎵、砷鎵鋁三元化合物半導體是構成這種器件的可選材料，當然根據具體的應用場合，可以有其他多種組合。例如，含銦的器件普遍表現出更好的高頻性能，而近年來發展的氮化鎵高電子遷移率晶體管則憑藉其良好的高頻特性吸引了大量關注。高電子遷移率晶體管可以在極高頻下工作，因此在移動電話、衛星電視和雷達中應用廣泛。
