王陽元
王陽元(1935年1月1日—),男,浙江寧波人,中國微電子學家,中國科學院院士,北京大學微電子學研究院院長,信息科學技術學院微電子學系主任,微米/納米加工技術國家重點實驗室主任,IEEE Fellow、IEE Fellow。他是中國硅柵N溝道MOS技術開拓者之一。[1][2]
生平
1935年1月1日出生於浙江寧波鎮海縣(現鎮海區)。1947年入讀寧波中學。1953年考入北京大學,1958年畢業。
20世紀70年代,主持研製成功中國第一塊3種類型1024位MOS動態隨機存儲器。20世紀80年代,提出多晶硅薄膜「應力增強」氧化模型,工程應用方程和摻雜濃度與遷移率的關係,受國際同行重視。20世紀90年代後期,開始研究微機電系統(MEMS),獲得一系列專利。領導研製成功中國首個大型集成化的ICCAD系統。創建中芯國際並擔任董事長。
曾參與漢芯的鑑定工作,漢芯後被曝光為造假。
家庭
妻子是中國科學院院士楊芙清。