三硫化鈦
| 三硫化鈦 | |
|---|---|
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| 識別 | |
| CAS號 | 12423-80-2 
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| ChemSpider | 50645119 |
| 性質 | |
| 化學式 | TiS3 |
| 摩爾質量 | 144.062 g/mol g·mol⁻¹ |
| 外觀 | 黑色晶體 |
| 能隙 | 1 eV (indirect)[1][2] eV |
| 電子遷移率 | 80 cm2/(V·s)[3] |
| 結構 | |
| 晶體結構 | 單斜晶系 mP8[1][2] |
| 空間群 | P21/m, No. 11 |
| 晶格常數 | a = 0.4973 nm, b = 0.3443 nm, c = 0.8714 nm |
| 晶格常數 | α = 90°, β = 97.74°, γ = 90° |
| 若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。 | |
三硫化鈦（TiS3）是一種無機化合物，化學式為TiS3，它由一個Ti4+、一個S2−和一個S22−構成。它可由化學氣相輸運製得。[1][2]
TiS3具有層狀結構，層間作用力較弱，可剝離。剝離的TiS3層可用於場效應晶體管。[2]
參考文獻
- ^ 1.0 1.1 1.2 Gorochov, O.; Katty, A.; Le Nagard, N.; Levy-Clement, C.; Schleich, D.M. Photoelectrochemical study of TiS3 in aqueous solution. Materials Research Bulletin. 1983, 18: 111–118. doi:10.1016/0025-5408(83)90178-2.
- ^ 2.0 2.1 2.2 2.3 Lipatov, Alexey; Wilson, Peter M.; Shekhirev, Mikhail; Teeter, Jacob D.; Netusil, Ross; Sinitskii, Alexander. Few-layered titanium trisulfide (TiS3) field-effect transistors. Nanoscale. 2015, 7 (29): 12291–12296. Bibcode:2015Nanos...712291L. PMID 26129825. doi:10.1039/C5NR01895A.
- ^ Wu, Kedi; Torun, Engin; Sahin, Hasan; Chen, Bin; Fan, Xi; Pant, Anupum; Parsons Wright, David; Aoki, Toshihiro; Peeters, Francois M.; Soignard, Emmanuel; Tongay, Sefaattin. Unusual lattice vibration characteristics in whiskers of the pseudo-one-dimensional titanium trisulfide TiS3. Nature Communications. 2016, 7: 12952. Bibcode:2016NatCo...712952W. S2CID 1595553. doi:10.1038/ncomms12952.
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