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阈值电压

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临界电压（英语：Threshold voltage ; 标示为: Vth）[1]，又称阈电压[2]或临界电压，通常指的是在TTL或MOSFET的传输特性曲线（输出电压与输入电压关系图线）中，在转折区中点所对应的输入电压的值。

计算机仿真展现的纳米线MOSFET中反型沟道的形成（电子密度的变化）。阈值电压在0.45V左右。

当器件由空乏向反转转变时，要经历一个Si表面电子浓度等于电洞浓度的状态。此时器件处于临界导通状态，器件的闸极电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一。


参考资料

  1. ^ http://www.term.gov.cn/pages/homepage/result2.jsp?id=67608&subid=10000094&subject=%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E5%99%A8%E4%BB%B6%E4%B8%8E%E9%9B%86%E6%88%90%E7%94%B5%E8%B7%AF&subsys=%E7%94%B5%E5%AD%90%E5%AD%A6[永久失效链接] 全国科学技术名词审定委员会
  2. ^ http://www.term.gov.cn/pages/homepage/result2.jsp?id=53614&subid=10000063&subject=%E5%B7%A5%E4%B8%9A%E5%8A%A0%E9%80%9F%E5%99%A8&subsys=%E7%94%B5%E5%B7%A5%E5%AD%A6[永久失效链接] 全国科学技术名词审定委员会
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