File:Bv rdson.png
原始文件 （1,500 × 1,050像素，文件大小：82 KB，MIME类型：image/png）
摘要
Cyril BUTTAY - plotted using gnuplot, source file available by email: cyril DOT buttay AT free DOT fr
This plot represents the specific resistance of MOSFETs versus their breakdown voltage. The dots are the values estimated from the datasheets of the following manufacturers: International Rectifier, ST Microelectronics, Infineon. Only the transistors in D2PAK package have been considered, with an estimated 30 mm² die size.
The "ideal" curve is the specific resistance of a single silicon layer that can withstand the given breakdown voltage. Its equation is Rdson=5.93.10-9.Vbr2.5, and comes from B. JAYANT BALIGA, "Power semiconductor devices", PWS publishing company, 1996
)"
set xlabel "Breakdown Voltage (V)" set format y '%3.1s %c'#{/Symbol W}' set format x "%3.0s %cV" set logscale xy
- output file name
set output "bv_rdson.eps" plot [10:2000][100e-6:10] 5.93e-9*(x**2.5) ls 3 title 'Ideal MOSFET',\ 'mos_data.txt' using 1:($2*0.3) ls 2 with points title 'Commercially available MOSFETs (estimated specific resistance)' }}
Dataset
gnuplot expects to find the data in a file named 'mos_data.txt'. As mentioned above, the data comes from various manufacturers, but I forgot to write down the corresponding devices reference numbers...
post processing
convert -density 300 bv_rdson.eps bv_rdson.png
许可协议
|
已授权您依据自由软件基金会发行的无固定段落及封面封底文字（Invariant Sections, Front-Cover Texts, and Back-Cover Texts）的GNU自由文件许可协议1.2版或任意后续版本的条款，复制、传播和／或修改本文件。该协议的副本请见“GNU Free Documentation License”。 |
  
|
本文件采用知识共享署名-相同方式共享 3.0 未本地化版本许可协议授权。 | |
| ||
| 本许可协议标签作为GFDL许可协议更新的组成部分被添加至本文件。 |
- 您可以自由地：
- 共享 – 复制、发行并传播本作品
- 修改 – 改编作品
- 惟须遵守下列条件：
- 署名 – 您必须对作品进行署名，提供授权条款的链接，并说明是否对原始内容进行了更改。您可以用任何合理的方式来署名，但不得以任何方式表明许可人认可您或您的使用。
- 相同方式共享 – 如果您再混合、转换或者基于本作品进行创作，您必须以与原先许可协议相同或相兼容的许可协议分发您贡献的作品。
文件历史
点击某个日期/时间查看对应时刻的文件。
| 日期/时间 | 缩略图 | 大小 | 用户 | 备注 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 当前 | 2012年1月25日 (三) 08:24 | | 1,500 × 1,050（82 KB） | CyrilB~commonswiki | The "ideal" curve on previous figures was plotted using the following equation: 1.63e-8.Vbr^2.5. However, this equation is for P-devices (see B.J.Baliga "power semiconductor devices", PWS , ISBN 0-534-94098-6, 1995 p 373). For N devices, the constant is 5 |
| 2011年3月3日 (四) 20:47 |  | 1,500 × 1,050（88 KB） | CyrilB~commonswiki | Correction of the y-axis label from ohm.cm-2 to ohm.cm2 | |
| 2006年2月11日 (六) 18:13 |  | 1,500 × 1,050（37 KB） | CyrilB~commonswiki | Cyril BUTTAY - plotted using gnuplot, source file available by email: cyril DOT buttay AT free DOT fr This plot represents the specific resistance of MOSFETs versus their breakdown voltage. The dots are the values estimated from the datasheets of the fol |
文件用途
以下页面使用本文件：
全域文件用途
以下其他wiki使用此文件：
- da.wikipedia.org上的用途
- en.wikipedia.org上的用途
- es.wikipedia.org上的用途
- fa.wikipedia.org上的用途
- it.wikipedia.org上的用途
- ko.wikipedia.org上的用途
