File:Silicon dislocation orientation 111 mag 500x.png
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Silicon_dislocation_orientation_111_mag_500x.png （768 × 576 像素，檔案大小：650 KB，MIME 類型：image/png）
摘要
| 描述 |
Title: Dislocations in Si crystal, orientation 111
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| 日期 | 2005年9月13日 (原始上傳日期) |
| 來源 | 无法识别来源。根据版权声明推断为其自己的作品。 |
| 作者 | 无法识别作者。根据版权声明推断作者为Twisp。 |
授權條款
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我，此作品的版權所有人，釋出此作品至公共領域。此授權條款在全世界均適用。 這可能在某些國家不合法，如果是的話： 我授予任何人有權利使用此作品於任何用途，除受法律約束外，不受任何限制。 |
檔案歷史
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| 日期/時間 | 縮圖 | 尺寸 | 用戶 | 備註 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 目前 | 2005年9月13日 (二) 00:15 | | 768 × 576（650 KB） | Twisp | * Title: Dislocations in Si crystal, orientation 111 * Desc: Image of dislocations in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the triangular (pyramidal) shape of dislocations. * Autho |
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