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摘要
| 描述 |
English: Single electron transistor with niobium leads and aluminium island.
Deutsch: Realisierung eines Einzelelektronentransistors mit Nb-AlOx-Al-Tunnelübergängen.
|
| 日期 | Göteborg 1999 |
| 來源 | Created by Torsten Henning and published in Charging effects in niobium nanostructures, PhD thesis, Mikroelektronik och Nanovetenskap, Chalmers Tekniska Högskola AB och Göteborgs Universitet, Göteborg 1999. Full text available online [1] as www.arxiv.org e-print cond-mat/9901308. |
| 作者 | Torsten Henning |
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| 日期/時間 | 縮圖 | 尺寸 | 用戶 | 備註 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 目前 | 2005年10月12日 (三) 12:50 | | 1,917 × 958（302 KB） | DrTorstenHenning | {{English}} Single electron transistor with niobium leads and aluminium island. Left: scanning electron micrograph, right: artistic interpretation. Created by Torsten Henning and published in ''Charging effects in niobium nanostructures'', PhD thesis, Mi |
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