File:TyTunnelling.png

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描述TyTunnelling.png	English: Schematic representation of an electron (e, right) tunnelling through a barrier of "height" (vertical dimension is energy) e*V_b and thickness (horizontal dimension is spatial) d_b. e is the elementary charge, -1.6E-19 Coulomb, V is the bias voltage leading to a current flowing between the right and the left "electrode" (side of the barrier).
日期	Göteborg 1999
來源	Created by Torsten Henning and published in Charging effects in niobium nanostructures, PhD thesis, Mikroelektronik och Nanovetenskap, Chalmers Tekniska Högskola AB och Göteborgs Universitet, Göteborg 1999. Full text available online [1] as www.arxiv.org e-print cond-mat/9901308.
作者	Torsten Henning

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目前	2005年10月12日 (三) 15:34		915 × 650（23 KB）	DrTorstenHenning	{{English}} Schematic representation of an electron (e, right) tunnelling through a barrier of "height" (vertical dimension is energy) e*V_b and thickness (horizontal dimension is spatial) d_b. e is the elementary charge, -1.6E-19 Coulomb, V is the b

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