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摘要

描述
English: Single electron transistor with niobium leads and aluminium island.
Left: scanning electron micrograph
Right: artistic interpretation.
Deutsch: Realisierung eines Einzelelektronentransistors mit Nb-AlOx-Al-Tunnelübergängen.
Links: Rasterelektronenmikroskopbild einer Anordnung zur Untersuchung der Coulomb-Blockade beim Stromtransport über eine längliche Metallinsel
Rechts: Künstlerische Interpretation
日期 Göteborg 1999
来源 Created by Torsten Henning and published in Charging effects in niobium nanostructures, PhD thesis, Mikroelektronik och Nanovetenskap, Chalmers Tekniska Högskola AB och Göteborgs Universitet, Göteborg 1999. Full text available online [1] as www.arxiv.org e-print cond-mat/9901308.
作者 Torsten Henning
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当前2005年10月12日 (三) 12:502005年10月12日 (三) 12:50版本的缩略图1,917 × 958（302 KB）DrTorstenHenning{{English}} Single electron transistor with niobium leads and aluminium island. Left: scanning electron micrograph, right: artistic interpretation. Created by Torsten Henning and published in ''Charging effects in niobium nanostructures'', PhD thesis, Mi

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